南通四氟化碳气体价格来电洽谈 安徽谱纯

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

 吸入四氟化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。随着芯片制程向7纳米迈进，细微杂质对芯片的损害更为明显，电子产业对高纯电子气体的纯度要求进一步提高，在此背景下，我国高纯四氟化碳生产技术与产品质量仍有提升空间。是微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，高纯气高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。

四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善, 如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。四氟化碳用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，随后通过硅胶干燥塔得到产品。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。