哈尔滨工业四氟化碳-为您竭心服务「安徽谱纯」

四氟化1碳一般认为是惰性低毒物质，在高浓度下是窒息剂，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳与氟1化氢的反应在填有氢1氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。吸入四氟化碳的后果与浓度有关，包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。因为四氟化碳和四氟化1硅都是共价化合物，然而碳氟键的键能远远大于硅氟键的键能，键长也是前者短得多，所以四氟化碳的热稳定性更好。