南京高纯四氟化碳厂家-***「安徽谱纯」

四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因为导致臭氧层破坏的是氟氯烃中的氯原子，它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强，因此分离的可能性比较低。四氟化碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。

对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳在不同的大气压下呈现的状态是不同的，就像氧气在101kPa时会呈现出液态。四氟化碳是无色、无臭、不燃的可压缩性气体，发挥性较高.预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应。

四氟化碳是一种卤代烃，化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高纯四氟化碳主要用于集成电路、半导体的等离子刻蚀领域，可用来蚀刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等离子蚀刻气体。此外，高纯四氟化碳还可用于印刷电路板清洁、电子元器件清洗、太阳能电池生产等领域。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科学家用于超深度潜水实验代替普通压缩空气。目前已在老鼠身上获得成功，在275米到366米的深度内，小白鼠仍可安全脱险。

四氟化碳（CF4）在电离后会产生含成分的刻蚀性气相等离子体，能够对各种有机表面实现刻蚀及有机物去除，在晶圆制造、线路板制造、太阳能电池板制造等行业中被广泛应用。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。四氟化碳是一种卤代烃，化学式CF4。它既可以被视为一种卤代烃、全氟化碳，也可以被视为一种无机化合物。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。